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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDME510PZT 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin MicroFET T/R

内部编号

3-FDME510PZT

#1

数量:28537
1+¥2.2344
25+¥2.0804
100+¥2.0033
500+¥1.9262
1000+¥1.8492
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:560
1+¥4.0342
10+¥3.3573
100+¥2.0445
1000+¥1.5795
5000+¥1.347
10000+¥1.2513
25000+¥1.1898
50000+¥1.1351
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:5772
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDME510PZT产品详细规格

规格书 FDME510PZT datasheet 规格书
FDME510PZT datasheet 规格书
FDME510PZT datasheet 规格书
FDME510PZT datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6A
Rds(最大)@ ID,VGS 37 mOhm @ 6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 22nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1490pF @ 10V
功率 - 最大 700mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装 6-MicroFET (1.6x1.6)
包装材料 Tape & Reel (TR)

FDME510PZT系列产品

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